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采用NanoVP lite模式進行分析和成像，在低電壓條件下可獲得更高的圖像質量，更快速地獲取更準確的分析數據。

●　在NanoVP lite模式下，裙邊效應降低且入射束流的路徑長度（BGPL）減小。裙邊減小會提高SE和BSE成像的信噪比。

●　帶有五段圓弧的伸縮式aBSD可提供出色的材料成分襯度：在NanoVP lite工作過程中，該探測器配備了安裝在極靴下方的束流套管，其可提供高通量及低電壓的成分和表面形貌高襯度成像，適用于可變壓力和高真空條件。